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中科潞安大功率芯片產品取得突破性進展

  • 分類:新聞動態
  • 作者:
  • 來源:
  • 發布時間:2022-06-09 17:15
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【概要描述】公司成立之初,中科潞安即著手布局大功率LED芯片的研發生產,經過技術人員的不懈努力及協同攻關,已成功研制出光功率輸出在120mW以上的大功率芯片,該芯片無論是研發性能還是量產水平,均走在行業前列,可更好地滿足UVC-LED市場的多元化需求。

中科潞安大功率芯片產品取得突破性進展

【概要描述】公司成立之初,中科潞安即著手布局大功率LED芯片的研發生產,經過技術人員的不懈努力及協同攻關,已成功研制出光功率輸出在120mW以上的大功率芯片,該芯片無論是研發性能還是量產水平,均走在行業前列,可更好地滿足UVC-LED市場的多元化需求。

  • 分類:新聞動態
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  • 發布時間:2022-06-09 17:15
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中科潞安大功率芯片產品取得突破性進展

 

公司成立之初,中科潞安即著手布局大功率LED芯片的研發生產,經過技術人員的不懈努力及協同攻關,已成功研制出光功率輸出在120mW以上的大功率芯片,該芯片無論是研發性能還是量產水平,均走在行業前列,可更好地滿足UVC-LED市場的多元化需求。

中科潞安致力于打造深紫外LED行業領軍企業,將技術革新作為企業生存和發展的內驅力,申報了十余項國家級、省市級科技項目。特別是在2020年立項的“氮化鎵基高效深紫外LED芯片技術”項目的支持下,大功率芯片關鍵技術取得了創新突破。

中科潞安45*45mil大功率LED芯片,在外延結構優化、初始版圖設計、電極結構設計、電極歐姆接觸驗證及多工段的工藝優化等方面,均做了大量的實驗驗證及技術攻關,尤其較為關鍵的p型AlGaN和芯片電極經持續優化、改進,實現了光電性能的大幅躍升。

 

中科潞安45*45mil UVC-LED

 

目前中科潞安45*45mil大功率LED芯片,經國內權威第三方檢測機構測試,在注入電流350mA的條件下,輸出光功率可達88.39mW,工作電壓5.71V;在注入電流500mA的條件下,輸出光功率可達122.82mW,工作電壓5.90V;飽和電流可達1860mA。該水平在目前國內市場首屈一指,并可以實現穩定量產。

 

 

大功率深紫外芯片目前主要應用于靜態水模組、流動水殺菌等對殺菌性能和效果要求較高的場景,中科潞安同時也響應終端客戶需求,不斷升級改造,拓展應用領域。芯片功率和效率的提升將會推動未來深紫外LED產業的快速發展。

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